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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY5V62CF-S |
| 英文描述： | x32 SDRAM |
| 中文描述： | X32號(hào)，內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/11頁(yè) |
| 文件大小： | 201K |
| 代理商： | HY5V62CF-S |
Rev. 0.4/Nov. 01
4
HY5V62CF
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
512Kbit x 4banks x 32 I/O Synchronous DRAM
X
S
A0
A1
A10
BA0
BA1
A
Address
Register
Mode Register
Row
Pre
Decoder
Column
Pre
Decoder
Column Add
Counter
Row Active
Column
Active
Burst
Counter
Data Out Control
CAS Latency
Refresh
Counter
DQ0
DQ1
DQ30
DQ31
Self Refresh Logic
& Timer
Pipe Line Control
I
Bank Select
S
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQM0
DQM1
DQM2
DQM3
512Kx32 Bank 3
X
X
Memory
Cell
Array
Y decoder
X
512Kx32 Bank 0
512Kx32 Bank 1
512Kx32 Bank 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5V66GF | 4Mx16|3.3V|4K|H|SDR SDRAM - 64M |
| HY5V66GF-H | x16 SDRAM |
| HY5V66GF-P | x16 SDRAM |
| HY5W26CF-B | x16 SDRAM |
| HY57W281620HCT-B | SDRAM|4X2MX16|CMOS|TSOP|54PIN|PLASTIC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5V66EF6 | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O |
| HY5V66EF6-5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O |
| HY5V66EF6-6 | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O |
| HY5V66EF6-7 | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O |
| HY5V66EF6-H | 制造商:HYNIX 制造商全稱(chēng):Hynix Semiconductor 功能描述:64Mb Synchronous DRAM based on 1M x 4Bank x16 I/O |
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