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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HY5DV281622DT-5 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/31頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 294K |
| 代理商： | HY5DV281622DT-5 |
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Rev. 0.5 / Aug. 2003
8
HY5DV281622DT
WRITE MASK TRUTH TABLE
Function
CKEn-1
CKEn
/CS, /RAS, /CAS, /WE
LDM
UDM
ADDR
A10/
AP
BA
Note
Data Write
H
X
X
L
L
X
1,2
Data-In Mask
H
X
X
H
H
X
1,2
Lower Byte Write /
Upper Byte-In Mask
H
X
X
L
H
X
1,2
Upper Byte Write /
Lower Byte-In Mask
H
X
X
H
L
X
1,2
Note :
1. Write Mask command masks burst write data with reference to LDQS/UDQS(Data Strobes) and it is not related with read data.
2. LDM and UDM control lower byte(DQ0~7) and Upper byte(DQ8~15) respectively.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DV281622DT-6 | 128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV641622AT | 64M(4Mx16) DDR SDRAM |
| HY5DV641622AT-33 | 64M(4Mx16) DDR SDRAM |
| HY5DV641622AT-36 | 64M(4Mx16) DDR SDRAM |
| HY5DV641622AT-4 | 64M(4Mx16) DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DV281622DT-6 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DTP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DTP-33 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DTP-36 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DTP-4 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
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