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參數(shù)資料
| 型號： | HY5DV281622DT-5 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 30/31頁 |
| 文件大小： | 294K |
| 代理商： | HY5DV281622DT-5 |
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Rev. 0.5 / Aug. 2003
30
HY5DV281622DT
CAPACITANCE
(T
A
=25
o
C, f=1MHz )
Note :
1. V
DD
= min. to max., V
DDQ
= 2.3V to 2.7V, V
O
DC = V
DDQ
/2, V
O
peak-to-peak = 0.2V
2. Pins not under test are tied to GND.
3. These values are guaranteed by design and are tested on a sample basis only.
OUTPUT LOAD CIRCUIT
Parameter
Pin
Symbol
Min
Max
Unit
Input Clock Capacitance
CK, CK
C
CK
2.0
3.0
pF
Input Capacitance
All other input-only pins
C
IN
2.0
3.0
pF
Input / Output Capacitanc
DQ, DQS, DM
C
IO
4.0
5.0
pF
V
REF
V
TT
R
T
=50
Zo=50
C
L
=30pF
Output
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DV281622DT-6 | 128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV641622AT | 64M(4Mx16) DDR SDRAM |
| HY5DV641622AT-33 | 64M(4Mx16) DDR SDRAM |
| HY5DV641622AT-36 | 64M(4Mx16) DDR SDRAM |
| HY5DV641622AT-4 | 64M(4Mx16) DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DV281622DT-6 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DTP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DTP-33 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DTP-36 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DTP-4 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
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