參數(shù)資料
型號(hào): HY5DV281622DT-4
廠商: HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類: DRAM
英文描述: 128M(8Mx16) GDDR SDRAM
中文描述: 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66
封裝: 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
文件頁(yè)數(shù): 29/31頁(yè)
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代理商: HY5DV281622DT-4
Rev. 0.5 / Aug. 2003
29
HY5DV281622DT
AC CHARACTERISTICS - II
Frequency
CL
tRC
tRFC
tRAS
tRCDRD
tRCDWR
tRP
tDAL
Unit
300MHz (3.3ns)
4
18
22
12
6
2
6
9
tCK
275MHz (3.6ns)
4
16
20
11
5
2
5
8
tCK
250MHz (4.0ns)
4
15
18
10
5
2
5
8
tCK
233MHz (4.3ns)
3
15
18
10
5
2
5
8
tCK
200MHz (5.0ns)
3
12
14
8
4
2
4
7
tCK
166MHz (6.0ns)
3
11
12
7
4
2
4
6
tCK
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