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參數(shù)資料
| 型號： | HY5DV281622DT-4 |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 DDR DRAM, 0.7 ns, PDSO66 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 |
| 文件頁數(shù)： | 23/31頁 |
| 文件大?。?/td> | 294K |
| 代理商： | HY5DV281622DT-4 |
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Rev. 0.5 / Aug. 2003
23
HY5DV281622DT
DC CHARACTERISTICS I
(TA=0 to 70oC, Voltage referenced to V
SS
= 0V)
Note
:
1. V
IN
= 0 to 3.6V, All other pins are not tested under V
IN
= 0V. 2. D
OUT
is disabled, V
OUT
= 0 to 2.7V
Parameter
Symbol
Min.
Max
Unit
Note
Input Leakage Current
I
LI
-5
5
uA
1
Output Leakage Current
I
LO
-5
5
uA
2
Output High Voltage
V
OH
V
TT
+ 0.76
-
V
I
OH
= -15.2mA
Output Low Voltage
V
OL
-
V
TT
- 0.76
V
I
OL
= +15.2mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DV281622DT-5 | 128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DT-6 | 128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV641622AT | 64M(4Mx16) DDR SDRAM |
| HY5DV641622AT-33 | 64M(4Mx16) DDR SDRAM |
| HY5DV641622AT-36 | 64M(4Mx16) DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DV281622DT-5 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DT-6 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DTP | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DTP-33 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
| HY5DV281622DTP-36 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128M(8Mx16) GDDR SDRAM |
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