- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄367352 > HY5DU281622AT-K SDRAM|DDR|4X2MX16|CMOS|TSSOP|66PIN|PLASTIC PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HY5DU281622AT-K |
| 英文描述： | SDRAM|DDR|4X2MX16|CMOS|TSSOP|66PIN|PLASTIC |
| 中文描述： | 內(nèi)存|復(fù)員| 4X2MX16 |的CMOS | TSSOP封裝| 66PIN |塑料 |
| 文件頁數(shù)： | 10/37頁 |
| 文件大?。?/td> | 336K |
| 代理商： | HY5DU281622AT-K |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁當(dāng)前第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁
Rev. 0.3 / Dec. 01
10
HY5DU12422T
HY5DU12822T
HY5DU121622T
WRITE MASK TRUTH TABLE
Function
CKEn-1
CKEn
/CS, /RAS,
/CAS, /WE
DM
ADDR
A10/
AP
BA
Note
Data Write
H
X
X
L
X
1
Data-In Mask
H
X
X
H
X
1
Note :
1.
Write Mask command masks burst write data with reference to LDQS/UDQS(Data Strobes) and it is not related
with read data. In case of x16 data I/O, LDM and UDM control lower byte(DQ0~7) and Upper byte(DQ8~15)
respectively.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DU281622AT-L | DDR Synchronous DRAM |
| HY5DU281622DLT | 8Mx16|2.5V|4K|J/M/K/H/L|DDR SDRAM - 128M |
| HY5DU281622DT | 8Mx16|2.5V|4K|J/M/K/H/L|DDR SDRAM - 128M |
| HY5DU281622DT-6 | 8Mx16|2.5V|4K|6|DDR SDRAM - 128M |
| HY5DU281622T | 8Mx16|2.5V|4K|H/L|DDR SDRAM - 128M |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY5DU281622AT-L | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DDR Synchronous DRAM |
| HY5DU281622DLT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:8Mx16|2.5V|4K|J/M/K/H/L|DDR SDRAM - 128M |
| HY5DU281622DLT-X | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mb-S DDR SDRAM |
| HY5DU281622DT | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:128Mb-S DDR SDRAM |
| HY5DU281622DT-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:8Mx16|2.5V|4K|6|DDR SDRAM - 128M |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。