參數(shù)資料
型號(hào)： HY5DS573222F-28
廠商： HYNIX SEMICONDUCTOR INC
元件分類： DRAM
英文描述： 256M(8Mx32) GDDR SDRAM
中文描述： 8M X 32 DDR DRAM, 0.6 ns, PBGA144
封裝： 12 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, MO-205DAE, FBGA-144
文件頁(yè)數(shù)： 16/28頁(yè)
文件大?。?/td> 326K
代理商： HY5DS573222F-28
1
HY5DS573222F(P)
Rev. 1.0 / Feb. 2005
16
7.
Issue 2 or more Auto Refresh commands.
8.
Issue a Mode Register Set command to initialize the mode register with bit A8 = Low.
Power-Up Sequence
CODE
CODE
CODE
CODE
CODE
CODE
CODE
CODE
CODE
CODE
CODE
CODE
CODE
CODE
CODE
NOP
PRE
MRS
EMRS
PRE
NOP
MRS
AREF
ACT
RD
VDD
VDDQ
VTT
VREF
/CLK
CLK
CKE
CMD
DM
ADDR
A10
BA0, BA1
DQS
DQ'S
LVCMOS Low Level
tIS tIH
tVTD
T=200usec
tRP
tMRD
tRP
tRFC
tMRD
tXSRD*
READ
Non-Read
Command
Power UP
VDD and CK stable
Precharge All
EMRS Set
MRS Set
Reset DLL
(with A8=H)
Precharge All
2 or more
Auto Refresh
MRS Set
(with A8=L)
* 200 cycle(tXSRD) of CK are required (for DLL locking) before Read Command
tMRD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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HY5DS573222FP 256M(8Mx32) GDDR SDRAM
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參數(shù)描述
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