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參數(shù)資料
| 型號： | HY57V64420HG |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 4 Banks x 4M x 4Bit Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4銀行x 4米× 4位同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 8/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 151K |
| 代理商： | HY57V64420HG |
HY57V64420HG
Rev. 0.4/Nov. 01
8
AC CHARACTERISTICS II
Note :
1. A new command can be given tRRC after self refresh exit
Parameter
Symbol
-6
-7
-K
-H
-P
-S
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
RAS Cycle Time
Operation
t
RC
60
-
62
-
65
-
65
-
70
-
70
-
ns
Auto Refresh
t
RRC
60
-
62
-
65
-
65
-
70
-
70
-
ns
RAS to CAS Delay
t
RCD
18
-
20
-
15
-
20
-
20
-
20
-
ns
RAS Active Time
t
RAS
42
100K
42
120K
45
120K
45
120K
50
120K
50
120K
ns
RAS Precharge Time
t
RP
18
-
20
-
15
-
20
-
20
-
20
-
ns
RAS to RAS Bank Active Delay
t
RRD
12
-
14
-
15
-
15
-
20
-
20
-
ns
CAS to CAS Delay
t
CCD
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
CLK
Write Command to Data-In Delay
t
WTL
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
CLK
Data-In to Precharge Command
t
DPL
2
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
CLK
Data-In to Active Command
t
DAL
5
-
4
-
4
-
4
-
3
-
3
-
CLK
DQM to Data-Out Hi-Z
t
DQZ
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
CLK
DQM to Data-In Mask
t
DQM
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
0
-
CLK
MRS to New Command
t
MRD
2
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
CLK
Precharge to Data
Output Hi-Z
CAS Latency = 3
t
PROZ3
3
-
3
-
3
-
3
-
3
-
3
-
CLK
CAS Latency = 2
t
PROZ2
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
2
-
CLK
Power Down Exit Time
t
PDE
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
CLK
Self Refresh Exit Time
t
SRE
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
CLK
1
Refresh Time
t
REF
-
64
-
64
-
64
-
64
-
64
-
64
ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY5DU561622AT-M | 256M-S DDR SDRAM |
| HY5DU561622ALT-H | 256M-S DDR SDRAM |
| HY5DU561622ALT-J | 256M-S DDR SDRAM |
| HY5DU561622ALT-K | 256M-S DDR SDRAM |
| HY5DU561622ALT-L | 256M-S DDR SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V64420HGLT | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:16Mx4|3.3V|4K|6|SDR SDRAM - 64M |
| HY57V64420HGLT-6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SDRAM |
| HY57V64420HGLT-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SDRAM |
| HY57V64420HGLT-H | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 4M x 4Bit Synchronous DRAM |
| HY57V64420HGLT-K | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 4M x 4Bit Synchronous DRAM |
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