參數(shù)資料
型號(hào)： HY57V64420HG
廠商： Hynix Semiconductor Inc.
英文描述： 4 Banks x 4M x 4Bit Synchronous DRAM
中文描述： 4銀行x 4米× 4位同步DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 7/11頁(yè)
文件大?。?/td> 151K
代理商： HY57V64420HG
HY57V64420HG
Rev. 0.4/Nov. 01
7
AC CHARACTERISTICS I
(AC operating conditions unless otherwise noted)
Note :
1.Assume tR / tF (input rise and fall time ) is 1ns
2.Access times to be measured with input signals of 1v/ns edge rate
Parameter
Symbol
-6
-7
-K
-H
-P
-S
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
System clock
cycle time
CAS Latency = 3
tCK3
6
1000
7
1000
7.5
1000
7.5
1000
10
1000
10
1000
ns
CAS Latency = 2
tCK2
10
10
7.5
10
10
12
ns
Clock high pulse width
tCHW
2.5
-
2.5
-
2.5
-
2.5
-
3
-
3
-
ns
1
Clock low pulse width
tCLW
2.5
-
2.5
-
2.5
-
2.5
-
3
-
3
-
ns
1
Access time from
clock
CAS Latency = 3
tAC3
-
5.4
-
5.4
-
5.4
5.4
6
-
6
ns
2
CAS Latency = 2
tAC2
-
6
-
6
-
5.4
6
-
6
-
8
ns
Data-out hold time
tOH
2.7
-
2.7
-
2.7
-
2.7
-
3
-
3
-
ns
Data-Input setup time
tDS
1.5
-
1.5
-
1.5
-
1.5
-
2
-
2
-
ns
1
Data-Input hold time
tDH
0.8
-
0.8
-
0.8
-
0.8
-
1
-
1
-
ns
1
Address setup time
tAS
1.5
-
1.5
-
1.5
-
1.5
-
2
-
2
-
ns
1
Address hold time
tAH
0.8
-
0.8
-
0.8
-
0.8
-
1
-
1
-
ns
1
CKE setup time
tCKS
1.5
-
1.5
-
1.5
-
1.5
-
2
-
2
-
ns
1
CKE hold time
tCKH
0.8
-
0.8
-
0.8
-
0.8
-
1
-
1
-
ns
1
Command setup time
tCS
1.5
-
1.5
-
1.5
-
1.5
-
2
-
2
-
ns
1
Command hold time
tCH
0.8
-
0.8
-
0.8
-
0.8
-
1
-
1
-
ns
1
CLK to data output in low Z-time
tOLZ
1
-
1.5
-
1.5
-
1.5
-
1
-
2
-
ns
CLK to data output
in high Z-time
CAS Latency = 3
tOHZ3
5.4
5.4
5.4
5.4
6
6
ns
CAS Latency = 2
tOHZ2
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY5DU561622AT-M 256M-S DDR SDRAM
HY5DU561622ALT-H 256M-S DDR SDRAM
HY5DU561622ALT-J 256M-S DDR SDRAM
HY5DU561622ALT-K 256M-S DDR SDRAM
HY5DU561622ALT-L 256M-S DDR SDRAM
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參數(shù)描述
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HY57V64420HGLT-6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SDRAM
HY57V64420HGLT-7 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SDRAM
HY57V64420HGLT-H 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 4M x 4Bit Synchronous DRAM
HY57V64420HGLT-K 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 4M x 4Bit Synchronous DRAM
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