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參數(shù)資料
| 型號： | HY57V281620ALT-HI |
| 廠商： | HYNIX SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| 封裝： | 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
| 文件頁數(shù)： | 3/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 81K |
| 代理商： | HY57V281620ALT-HI |
HY57V281620A
Rev. 0.4/Apr.01
3
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
2Mbit x 4banks x 16 I/O Synchronous DRAM
X
S
A0
A1
A11
BA0
BA1
A
Address
Registers
Mode Registers
Row
Pre
Decoders
Column
Pre
Decoders
Column Add
Counter
Row active
C o l u m n
Active
Burst
Counter
Data Out Control
C A S L a t e n c y
Internal Row
counter
D Q 0
D Q 1
DQ14
DQ15
refresh
Self refresh logic
& timer
Pipe Line Control
I
B a n k S e l e c t
S
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
W E
U D Q M
LDQM
2Mx16 Bank 3
X
X
Memory
Cell
Array
Y decoders
X
2Mx16 Bank 0
2Mx16 Bank 1
2Mx16 Bank 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY57V281620ALT-KI | 4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY57V281620ELT-H | 128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O |
| HY57V281620ELT | 128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O |
| HY57V281620ELT-5 | 128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O |
| HY57V281620ELT-6 | 128Mb Synchronous DRAM based on 2M x 4Bank x16 I/O |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY57V281620ALT-I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:8Mx16|3.3V|4K|K|SDR SDRAM - 128M |
| HY57V281620ALT-K | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY57V281620ALT-KI | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
| HY57V281620ALT-P | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x16 SDRAM |
| HY57V281620ALT-PI | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:4 Banks x 2M x 16bits Synchronous DRAM |
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