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參數(shù)資料
| 型號： | HY29F040A |
| 廠商： | Hynix Semiconductor Inc. |
| 英文描述： | 512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| 中文描述： | 為512k × 8位CMOS 5.0伏只，扇區(qū)擦除閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 2/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 282K |
| 代理商： | HY29F040A |
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HY29F040A
protect and sector unprotect features can be en-
abled in a PROM programmer.
The HY29F040A needs a single 5.0 volt power-
supply for read, program and erase operation. In-
ternally generated and well regulated voltages are
provided for program and erase operation. A low
Vcc detector inhibits write operations on loss of
power. End of program or erase is detected by /Data
Polling of DQ7 or by the Toggle Bit feature on DQ6.
Once program or erase cycle is successfully com-
pleted, the device internally resets to the Read
mode.
BLOCK DIAGRAM
Erase Voltage
Generator
PGM Voltage
Generator
Timer
Vcc Detector
Cell Matrix
Vcc
Vss
CE
OE
A0-A18
DQ0-DQ7
STB
WE
Y-Gating
STB
Input/Output
Buffers
State
Control
Command
Register
Chip Enable
Output Enable
Logic
Address
Latch
Y-Decoder
X-Decoder
Data Latch
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HY29F080T70 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080G12 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080G70 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
| HY29F080G90 | 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HY29F040AC-12 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| HY29F040AC-12E | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| HY29F040AC-12I | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| HY29F040AC-15 | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
| HY29F040AC-15E | 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory |
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