參數(shù)資料
型號(hào)： HY29F040A
廠商： Hynix Semiconductor Inc.
英文描述： 512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory
中文描述： 為512k × 8位CMOS 5.0伏只，扇區(qū)擦除閃存
文件頁(yè)數(shù)： 14/40頁(yè)
文件大?。?/td> 282K
代理商： HY29F040A
14
HY29F040A
Figure 1. Internal Programming Algorithm
START
/Data Polling Device
Programming Completed
Last Address
5555H/AAH
2AAAH/55H
5555H/A0H
Program Command Sequence (Address/Command)
NO
YES
Write Program Command Sequence
(see below)
Increment Address
Program Address/Program Data
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HY29F080T70 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F080 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F080G12 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F080G70 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
HY29F080G90 8 Megabit (1M x 8), 5 Volt-only, Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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HY29F040AC-12I 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory
HY29F040AC-15 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory
HY29F040AC-15E 制造商:HYNIX 制造商全稱:Hynix Semiconductor 功能描述:512K x 8-bit CMOS 5.0 volt-only, Sector Erase Flash Memory
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