參數(shù)資料
型號(hào)： HUF76113SK8
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 6.5A, 30V, 0.030 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
中文描述： 6.5 A, 30 V, 0.041 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MS-012AA
封裝： MS-012AA, 8 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 7/11頁(yè)
文件大?。?/td> 384K
代理商： HUF76113SK8
7
Test Circuits and Waveforms
FIGURE 17. UNCLAMPED ENERGY TEST CIRCUIT
FIGURE 18. UNCLAMPED ENERGY WAVEFORM
FIGURE 19. GATE CHARGE TEST CIRCUIT
FIGURE 20. GATE CHARGE WAVEFORMS
FIGURE 21. SWITCHING TIME TEST CIRCUIT
FIGURE 22. SWITCHING TIME WAVEFORMS
t
P
V
GS
0.01
L
I
AS
+
-
V
DS
V
DD
R
G
DUT
VARY t
P
TO OBTAIN
REQUIRED PEAK I
AS
0V
V
DD
V
DS
BV
DSS
t
P
I
AS
t
AV
0
R
L
V
GS
+
-
V
DS
V
DD
DUT
I
g(REF)
V
DD
Q
g(TH)
V
GS
= 1V
Q
g(5)
V
GS
= 5V
Q
g(TOT)
V
GS
= 10
V
DS
V
GS
I
g(REF)
0
0
V
GS
R
L
R
GS
DUT
+
-
V
DD
V
DS
V
GS
t
ON
t
d(ON)
t
r
90%
10%
V
DS
90%
10%
t
f
t
d(OFF)
t
OFF
90%
50%
50%
10%
PULSE WIDTH
V
GS
0
0
HUF76113SK8
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HUF76113DK8 6A, 30V, 0.032 Ohm, Dual N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
HUF76113T3ST 4.7A, 30V, 0.031 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
HUF76129D3 20A, 30V, 0.016 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs(20A, 30V, 0.016 Ω,N溝道,邏輯電平,UltraFET功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
HUF76129D3S 20A, 30V, 0.016 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs(20A, 30V, 0.016 Ω,N溝道,邏輯電平,UltraFET功率MOS場(chǎng)效應(yīng)管)
HUF76132P3 75A, 30V, 0.011 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HUF76113SK8T 功能描述:MOSFET USE 512-FDS6612A Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF76113T3ST 功能描述:MOSFET 4.7a 30V 0.031 Ohm Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF76121D3 功能描述:MOSFET 20a 30V N-Ch Logic Level 0.023Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF76121D3S 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HUF76121D3ST 功能描述:MOSFET USE 512-FDD6612A Logic Level N-Ch RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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