參數資料
型號： HS1-81C56RH
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： DRAM
英文描述： Radiation Hardened 256 x 8 CMOS RAM
中文描述： 256 X 8 MULTI-PORT SRAM, 250 ns, CDIP40
文件頁數： 9/14頁
文件大?。?/td> 86K
代理商： HS1-81C56RH
9
HS-81C55RH, HS-81C56RH
Metallization Topology
DIE DIMENSIONS:
222 x 202 x 14
±
1mil (Die Thickness)
METALLIZATION:
Type: AlSi
Thickness: 11k
±
2k
GLASSIVATION:
Type: SiO2
Thickness: 8k
±
1k
Metallization Mask Layout
HS-81C55RH, HS-81C56RH
TIMER OUT (6)
IO/M (7)
CE OR CE (8)
A
A
A
A
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
(
A
G
P
P
P
P
P
P
RD (9)
WR (10)
ALE (11)
AD0 (12)
AD1 (13)
AD2 (14)
(34) PB5
(33) PB4
(32) PB3
(31) PB2
(30) PB1
(29) PB0
(28) PA7
(27) PA6
Spec Number
518056
相關PDF資料
PDF描述
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