參數資料
型號： HN7G01FU
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Multi Chip Discrete Device
中文描述： 東芝多芯片分立器件
文件頁數： 2/5頁
文件大?。?/td> 185K
代理商： HN7G01FU
HN7G01FU
2003-03-27
2
Q1
(transistor)
Electrical Characteristics
(Ta 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Collector cut-off current
I
CBO
V
CB
15 V, I
E
0
0.1
A
Emitter cut-off current
I
EBO
V
EB
5 V, I
C
0
0.1
mA
DC current gain
h
FE
(Note 2)
V
CE
2 V, I
C
10 mA
300
1000
V
CE (sat) (1)
I
C
10 mA, I
B
0.5 mA
15
30
Collector-emitter saturation voltage
V
CE (sat) (2)
I
C
200 mA, I
B
10 mA
110
250
mV
Base-emitter saturation voltage
V
BE (sat)
I
C
200 mA, I
B
10 mA
0.87
1.2
V
Note 2: h
FE
classification A: 300~600, B: 500~1000
Q2
(MOS-FET)
Electrical Characteristics
(Ta 25°C)
Characteristics
Symbol
Test Condition
Min
Typ.
Max
Unit
Gate leakage current
I
GSS
V
GS
10 V, V
DS
0
1
A
Drain-source breakdown voltage
V
(BR) DSS
I
D
100 A, V
GS
0
20
V
Drain current
I
DSS
V
DS
20 V, V
GS
0
1
A
Gate threshold voltage
V
th
V
DS
3 V, I
D
0.1 mA
0.5
1.5
V
Forward transfer admittance
Y
fs
V
DS
3 V, I
D
10 mA
20
mS
Drain-source ON resistance
R
DS (ON)
I
D
10 mA, V
GS
2.5 V
20
40
Application Example
(power management switch)
相關PDF資料
PDF描述
HN7G02FE Power Management Switch Applications, Inverter Circuit
HN7G02FU TOSHIBA Multi Chip Discrete Device
HN7G03FU Power Management Switch Applications
HN7G04FU General-Purpose Amplifier Applications
HN7G05FU Power Management Switch Applications, Inverter Circuit
相關代理商/技術參數
參數描述
HN7G01FU_07 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Power Management Switch Application
HN7G01FU-A 功能描述:兩極晶體管 - BJT INCORRECT MOUSER P/N Ic=-400mA Id=50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
HN7G01FU-A(T5L,F,T 功能描述:兩極晶體管 - BJT Vceo=-12V Vds=20V Ic=-400mA Id=50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
HN7G02FE 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Power Management Switch Applications, Inverter Circuit
HN7G02FE(TE85L,F) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Vceo=-50V Vds20V Ic=-100ma Id=50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯系方式

*
*
*