參數資料
型號： HN7G01FU
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA Multi Chip Discrete Device
中文描述： 東芝多芯片分立器件
文件頁數： 1/5頁
文件大?。?/td> 185K
代理商： HN7G01FU
HN7G01FU
2003-03-27
1
TOSHIBA Multi Chip Discrete Device
HN7G01FU
Power Management Switch Application
Driver Circuit Application
Interface Circuit Application
Q1 (transistor): 2SA1955 equivalent
Q2 (MOS-FET): 2SK1830 equivalent
Q1
(transistor)
Maximum Ratings
(Ta 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Collector-base voltage
V
CBO
15
V
Collector-emitter voltage
V
CEO
12
V
Emitter-base voltage
V
EBO
5
V
Collector current
I
C
400
mA
Base current
I
B
50
mA
Q2
(MOS-FET)
Maximum Ratings
(Ta 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Drain-source voltage
V
DS
20
V
Gate-source voltage
V
GSS
10
V
Drain current
I
D
50
mA
Q1, Q2 Common Ratings
(Ta 25°C)
Characteristics
Symbol
Rating
Unit
Power dissipation
P
C
(Note 1)
200
mW
Junction temperature
T
j
125
°C
Storage temperature range
T
stg
55~150
°C
Note 1: Total rating
Marking
Pin Assignment
(top view)
Unit: mm
JEDEC
―
JEITA
―
TOSHIBA
―
Weight: 6.8 mg (typ.)
Preliminary
相關PDF資料
PDF描述
HN7G02FE Power Management Switch Applications, Inverter Circuit
HN7G02FU TOSHIBA Multi Chip Discrete Device
HN7G03FU Power Management Switch Applications
HN7G04FU General-Purpose Amplifier Applications
HN7G05FU Power Management Switch Applications, Inverter Circuit
相關代理商/技術參數
參數描述
HN7G01FU_07 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Power Management Switch Application
HN7G01FU-A 功能描述:兩極晶體管 - BJT INCORRECT MOUSER P/N Ic=-400mA Id=50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
HN7G01FU-A(T5L,F,T 功能描述:兩極晶體管 - BJT Vceo=-12V Vds=20V Ic=-400mA Id=50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
HN7G02FE 制造商:TOSHIBA 制造商全稱:Toshiba Semiconductor 功能描述:Power Management Switch Applications, Inverter Circuit
HN7G02FE(TE85L,F) 功能描述:兩極晶體管 - BJT Vceo=-50V Vds20V Ic=-100ma Id=50mA RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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