參數(shù)資料
型號(hào)： HM5425801B
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM)
中文描述： 256M DDR SDRAM的接口SSTL_2（256M SSTL_2接口的DDR同步DRAM）的
文件頁(yè)數(shù)： 47/62頁(yè)
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代理商： HM5425801B
HM5425161B, HM5425801B, HM5425401B Series
47
HM5425161B/HM5425801B/HM5425401B
-75A
-75B
-10
Parameter
Symbol Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
DQS falling edge to CLK
setup time
t
DSS
0.2
—
0.2
—
0.2
—
t
CK
DQS falling edge hold time
to CLK
t
DSH
0.2
—
0.2
—
0.2
—
t
CK
DQS high pulse width
(DQS write)
t
DQSH
0.35
—
0.35
—
0.35
—
t
CK
DQS low pulse width
(DQS write)
t
DQSL
0.35
—
0.35
—
0.35
—
t
CK
Input command and
address setup time
t
IS
1.1
—
1.1
—
1.2
—
ns
8
Input command and
address hold time
t
IH
1.1
—
1.1
—
1.2
—
ns
8
Active command period
t
RC
t
RFC
65
—
65
—
70
—
ns
Auto refresh to active/Auto
refresh command cycle
75
—
75
—
80
—
ns
Active to Precharge
command period
t
RAS
45
120000 45
120000 50
120000 ns
Active to column command
period
t
RCD
20
—
20
—
20
—
ns
Last data in to precharge
t
WR
t
RP
15
—
15
—
15
—
ns
Precharge to active
command period
20
—
20
—
20
—
ns
Active to active command
period
t
RRD
15
—
15
—
15
—
ns
Average periodic refresh
interval
t
REF
—
7.8
—
7.8
—
7.8
μ
s
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PDF描述
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