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參數資料
| 型號： | HM5425801B |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 256M SSTL_2 interface DDR SDRAM(256M SSTL_2接口 DDR 同步DRAM) |
| 中文描述： | 256M DDR SDRAM的接口SSTL_2（256M SSTL_2接口的DDR同步DRAM）的 |
| 文件頁數： | 42/62頁 |
| 文件大小： | 1016K |
| 代理商： | HM5425801B |
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HM5425161B, HM5425801B, HM5425401B Series
42
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Note
Voltage on any pin relative to V
ss
Supply voltage relative to V
SS
Short circuit output current
V
T
V
CC
, V
CCQ
Iout
–1.0 to +4.6
V
1
–1.0 to +4.6
V
1
50
mA
Power dissipation
P
T
Topr
1.0
W
Operating temperature
0 to +70
°
C
°
C
Storage temperature
Note:
1. Refer to V
SS
.
Tstg
–55 to +125
DC Operating Conditions
(Ta = 0 to +70C)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Notes
Supply voltage
V
CC
, V
CCQ
V
SS
, V
SSQ
V
REF
V
TT
V
IH
V
IL
V
IN
(dc)
V
SWING
(dc)
2.3
2.5
2.7
V
1, 2
0
0
0
V
Input reference voltage
1.15
1.25
1.35
V
1
Termination voltage
V
REF
–
0.04
V
REF
+
0.18
–0.3
V
REF
—
V
REF
+ 0.04
V
CCQ
+ 0.3
V
REF
–
0.18
V
CCQ
+ 0.3
V
CCQ
+ 0.6
V
1
DC Input high voltage
V
1, 3
DC Input low voltage
—
V
1, 4
DC Input signal voltage
–0.3
—
V
5
DC differential input voltage
Notes: 1. All parameters are referred to V
, when measured.
2. V
CCQ
must be lower than or equal to V
.
3. V
IH
is allowed to exceed V
up to 4.6 V for the period shorter than or equal to 5 ns.
4. V
IL
is allowed to outreach below V
SS
down to –1.0 V for the period shorter than or equal to 5 ns.
5. V
IN
(dc) specifies the allowable dc execution of each differential input.
6. V
SWING
(dc) specifies the input differential voltage required for switching.
0.36
—
V
6
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PDF描述 |
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