- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370615 > HM5117805TT-7 (ELPIDA MEMORY INC) 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | HM5117805TT-7 |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| 中文描述： | 2M X 8 EDO DRAM, 70 ns, PDSO28 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28 |
| 文件頁數(shù)： | 8/32頁 |
| 文件大?。?/td> | 549K |
| 代理商： | HM5117805TT-7 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁當前第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁
EO rdc
HM5117805 Series
Data Sheet E0156H10
8
Read, Write, Read-Modify-Write and Refresh Cycles (Common parameters)
HM5117805
-5
-6
-7
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Unit
Notes
Random read or write cycle time
RAS
precharge time
CAS
precharge time
RAS
pulse width
CAS
pulse width
t
RC
t
RP
t
CP
t
RAS
t
CAS
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RCD
84
—
104
—
124
—
ns
30
—
40
—
50
—
ns
7
—
10
—
13
—
ns
50
10000 60
10000 70
10000 ns
7
10000 10
10000 13
10000 ns
Row address setup time
0
—
0
—
0
—
ns
Row address hold time
7
—
10
—
10
—
ns
Column address setup time
0
—
0
—
0
—
ns
Column address hold time
RAS
to
CAS
delay time
RAS
to column address delay time t
RAD
RAS
hold time
CAS
hold time
CAS
to
RAS
precharge time
OE
to Din delay time
OE
delay time from Din
CAS
delay time from Din
7
—
10
—
13
—
ns
11
37
14
45
14
52
ns
3
9
25
12
30
12
35
ns
4
t
RSH
t
CSH
t
CRP
t
OED
t
DZO
t
DZC
t
T
10
—
13
—
13
—
ns
35
—
40
—
45
—
ns
5
—
5
—
5
—
ns
13
—
15
—
18
—
ns
5
0
—
0
—
0
—
ns
6
0
—
0
—
0
—
ns
6
Transition time (rise and fall)
2
50
2
50
2
50
ns
7
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5117805LTT-5 | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM5117805 | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM5117805LTS-5 | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM5117805LTS-6 | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM5117805LTS-7 | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM51180J | 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Inductor Power Wirewound 18uH 5% 1KHz 4.7A 23mOhm DCR AXL 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Ind Power Wirewound 18uH 5% 1KHz 4.7A AXL |
| HM51-180JLF | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:Axially Leaded Miniature Power Inductors |
| HM51180K | 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Ind Power Wirewound 18uH 10% 1KHz 4.7A AXL |
| HM51-180K | 制造商:BI Technologies (TT electronics) 功能描述:Ind Power Wirewound 18uH 10% 1KHz 4.7A AXL |
| HM51-180KLF | 功能描述:MINIATURE POWER INDUCTORS AXIAL RoHS:是 類別:電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式 系列:HM51 標準包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。