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參數(shù)資料
| 型號： | HM5117805TT-7 |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| 中文描述： | 2M X 8 EDO DRAM, 70 ns, PDSO28 |
| 封裝： | 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28 |
| 文件頁數(shù)： | 25/32頁 |
| 文件大小： | 549K |
| 代理商： | HM5117805TT-7 |
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EO rdc
HM5117805 Series
Data Sheet E0156H10
25
EDO Page Mode Mix Cycle (1)
Din
OE
Dout
WE
Address
RAS
CAS
t
CP
t
CP
t
CP
t
T
t
RCH
t
RRH
t
CDD
t
RDD
High-Z
t
OFR
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WEZ
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OEZ
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OEZ
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RP
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CAS
t
CAS
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CAS
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RAH
Column 1
Column 2
Column 3
Column 4
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ASC
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CAH
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CAH
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CAH
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CAH
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RAL
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CAL
Row
Dout 2
Dout 4
CPA
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CAS
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WCS
Dout 3
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t
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WP
t
WCH
t
WED
t
DS
t
DH
t
DS
t
DH
Din 3
Din 1
t
OED
t
ASC
t
CPW
t
AWD
OHO
t
CAL
t
CAL
t
CAL
t
RCS
t
RCS
t
CSH
t
RCD
t
RSH
DOH
ASC
t
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HM5117805LTT-5 | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM5117805 | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM5117805LTS-5 | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM5117805LTS-6 | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
| HM5117805LTS-7 | 16 M EDO DRAM (2-Mword X 8-bit) 2 k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HM51180J | 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Inductor Power Wirewound 18uH 5% 1KHz 4.7A 23mOhm DCR AXL 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Ind Power Wirewound 18uH 5% 1KHz 4.7A AXL |
| HM51-180JLF | 制造商:BITECH 制造商全稱:Bi technologies 功能描述:Axially Leaded Miniature Power Inductors |
| HM51180K | 制造商:TT Electronics / BI Technologies 功能描述:Ind Power Wirewound 18uH 10% 1KHz 4.7A AXL |
| HM51-180K | 制造商:BI Technologies (TT electronics) 功能描述:Ind Power Wirewound 18uH 10% 1KHz 4.7A AXL |
| HM51-180KLF | 功能描述:MINIATURE POWER INDUCTORS AXIAL RoHS:是 類別:電感器，線圈，扼流圈 >> 固定式 系列:HM51 標準包裝:500 系列:1331 電感:1.2µH 電流:247mA 電流 - 飽和:247mA 電流 - 溫升:- 類型:鐵芯體 容差:±10% 屏蔽:屏蔽 DC 電阻(DCR):最大 730 毫歐 Q因子@頻率:40 @ 7.9MHz 頻率 - 自諧振:130MHz 材料 - 芯體:鐵 封裝/外殼:0.312" L x 0.115" W x 0.135" H（7.94mm x 2.92mm x 3.43mm） 安裝類型:表面貼裝 包裝:帶卷 (TR) 工作溫度:-55°C ~ 105°C 頻率 - 測試:7.9MHz |
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