參數(shù)資料
型號： HM5113805FLTD-6
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh
中文描述： 128M的內(nèi)存江戶（16 Mword × 8位）8K的refresh/4k刷新
文件頁數(shù)： 13/34頁
文件大?。?/td> 480K
代理商： HM5113805FLTD-6
HM5112805F-6, HM5113805F-6
13
Write Cycle
HM5112805F/HM5113805F
-6
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
Write command setup time
t
WCS
t
WCH
t
WP
t
RWL
t
CWL
t
DS
t
DH
0
—
ns
14
Write command hold time
10
—
ns
Write command pulse width
Write command to
RAS
lead time
Write command to
CAS
lead time
10
—
ns
15
—
ns
10
—
ns
Data-in setup time
0
—
ns
15
Data-in hold time
10
—
ns
15
Read-Modify-Write Cycle
HM5112805F/HM5113805F
-6
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
Read-modify-write cycle time
RAS
to
WE
delay time
CAS
to
WE
delay time
Column address to
WE
delay time
OE
hold time from
WE
t
RWC
t
RWD
t
CWD
t
AWD
t
OEH
140
—
ns
79
—
ns
14
34
—
ns
14
49
—
ns
14
15
—
ns
Refresh Cycle
HM5112805F/HM5113805F
-6
Parameter
CAS
setup time (CBR refresh cycle)
CAS
hold time (CBR refresh cycle)
WE
setup time (CBR refresh cycle)
WE
hold time (CBR refresh cycle)
RAS
precharge to
CAS
hold time
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
t
CSR
t
CHR
t
WRP
t
WRH
t
RPC
5
—
ns
10
—
ns
0
—
ns
10
—
ns
5
—
ns
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HM5113805FTD-6 128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh
HM5112805F 128M EDO DRAM(128M 擴展數(shù)據(jù)輸出模式動態(tài)RAM)
HM5113805F 128 M EDO（Extended Data Output） DRAM(128M 擴展數(shù)據(jù)輸出模式動態(tài)RAM)
HM5113165F 128M EDO DRAM(128M 擴展數(shù)據(jù)輸出模式動態(tài)RAM)
HM5116100 16M FP DRAM (16-Mword x 1-bit) 4k Refresh
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HM5113805FTD-5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:DRAM|EDO|16MX8|CMOS|TSOP|32PIN|PLASTIC
HM5113805FTD-6 制造商:HITACHI 制造商全稱:Hitachi Semiconductor 功能描述:128M EDO DRAM (16-Mword x 8-bit) 8k refresh/4k refresh
HM5113805LTD-6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EDO Page Mode DRAM
HM5113805TD-5 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EDO Page Mode DRAM
HM5113805TD-6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 EDO Page Mode DRAM
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