參數(shù)資料
型號： HGTG20N60C3
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 45A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT(45A, 600V, UFS系列 N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
中文描述： 45 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
文件頁數(shù)： 6/7頁
文件大?。?/td> 81K
代理商： HGTG20N60C3
6
FIGURE 16. NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
Test Circuit and Waveforms
FIGURE 17. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
FIGURE 18. SWITCHING TEST WAVEFORMS
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-4
0.1
0.05
0.2
0.02
SINGLE PULSE
t
1
t
2
P
D
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
0.5
0.01
R
G
= 10
L = 1mH
V
DD
= 480V
+
-
RHRP3060
t
fI
t
d(OFF)I
t
rI
t
d(ON)I
10%
90%
10%
90%
V
CE
I
CE
V
GE
E
OFF
E
ON2
HGTG20N60C3, HGTP20N60C3, HGT1S20N60C3S
相關PDF資料
PDF描述
HGTG30N60A4D 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode(600V, SMPS系列 N溝道IGBT,帶反并行超快二極管)
HGTG30N60A4D 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with
HGTG30N60A4 600V, SMPS Series N-Channel IGBT(600V, SMPS系列 N溝道IGBT)
HGTG30N60A4 600V, SMPS Series N-Channel IGBT
HGTG30N60B3 2.5V 36-mc CPLD - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
HGTG20N60C3D 功能描述:IGBT 晶體管 UFS 20A 600V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGTG20N60C3D 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT
HGTG20N60C3R 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
HGTG24N60D1 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述:
HGTG24N60D1D 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:Harris Corporation 功能描述:
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*