參數(shù)資料
型號： HGTG12N60A4
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 600V, SMPS Series N-Channel IGBT(600V,SMPS系列 N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
中文描述： 54 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
文件頁數(shù)： 6/10頁
文件大小： 115K
代理商： HGTG12N60A4
6
FIGURE 17. CAPACITANCE vs COLLECTOR TO EMITTER
VOLTAGE
FIGURE 18. COLLECTOR TO EMITTER ON-STATE VOLTAGE
vs GATE TO EMITTER VOLTAGE
FIGURE 19. IGBT NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
Test Circuit and Waveforms
FIGURE 20. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
FIGURE 21. SWITCHING TEST WAVEFORMS
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
C
C
RES
0
5
10
15
20
25
0
0.5
1.0
2.0
2.5
3.0
1.5
FREQUENCY = 1MHz
C
OES
C
IES
V
GE
, GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)
8
9
1.9
10
12
2.0
2.2
2.1
11
13
14
15
16
2.3
2.4
V
C
,
I
CE
= 18A
I
CE
= 12A
I
CE
= 6A
DUTY CYCLE < 0.5%, V
GE
= 15V
PULSE DURATION = 250
μ
s, T
J
= 25
o
C
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
10
-2
10
-1
10
0
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-4
t
1
t
2
P
D
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
SINGLE PULSE
0.1
0.2
0.5
0.05
0.01
0.02
R
G
= 10
L = 500
μ
H
V
DD
= 390V
+
-
RHRP660
t
fI
t
d(OFF)I
t
rI
t
d(ON)I
10%
90%
10%
90%
V
CE
I
CE
V
GE
E
OFF
E
ON2
HGTP12N60A4, HGTG12N60A4, HGT1S12N60A4S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGT1S12N60B3DS 27A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diode(27A, 600V, UFS系列帶超快二極管 N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
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HGT1S12N60C3S9A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 12A I(C) | TO-263AB
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參數(shù)描述
HGTG12N60A4D 功能描述:IGBT 晶體管 600V N-Channel IGBT SMPS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGTG12N60A4D 制造商:Intersil Corporation 功能描述:IGBT TO-247
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HGTG12N60B3D 制造商:Harris Corporation 功能描述:
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