參數(shù)資料
型號： HGTG10N120BND
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
中文描述： 35 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 217K
代理商： HGTG10N120BND
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
HGTG10N120BN, HGTP10N120BN, HGT1S10N120BNS Rev. B1
FIGURE 15. CAPACITANCE vs COLLECTOR TO EMITTER
VOLTAGE
FIGURE 16. COLLECTOR TO EMITTER ON-STATE VOLTAGE
FIGURE 17. NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
C
C
RES
0
5
10
15
20
25
0
1
C
IES
C
OES
3
4
FREQUENCY = 1MHz
2
I
C
,
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
6
12
0
1
0
2
3
15
DUTY CYCLE <0.5%, T
C
= 110
o
C
PULSE DURATION = 250
μ
s
9
3
4
V
GE
= 10V
V
GE
= 15V
t
1
t
2
P
D
SINGLE PULSE
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
-2
10
-1
10
0
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
-4
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
Z
θ
J
,
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Test Circuit and Waveforms
FIGURE 18. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
FIGURE 19. SWITCHING TEST WAVEFORMS
R
G
= 10
L = 2mH
V
DD
= 960V
+
-
HGTG10N120BND
t
fI
t
d(OFF)I
t
rI
t
d(ON)I
10%
90%
10%
90%
V
CE
I
CE
V
GE
E
OFF
E
ON2
HGTG10N120BN, HGTP10N120BN, HGT1S10N120BNS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGT1S10N120BNS 35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGTG10N120BND 36 MACROCELL 3.3 VOLT ISP CPLD
HGTG12N60A4D 36 MACROCELL 3.3 VOLT ISP CPLD
HGTP12N60A4D 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGT1S12N60A4DS9A TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 54A I(C) | TO-263AB
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HGTG10N120BND 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:SINGLE IGBT 1.2KV 35A
HGTG10N120BND_Q 功能描述:IGBT 晶體管 35A 1200V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGTG10N120ND 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:
HGTG11N120CN 功能描述:IGBT 晶體管 43A 1200V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGTG11N120CND 功能描述:IGBT 晶體管 43A 1200V NCh w/Anti Parallel Hyprfst Dde RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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