參數(shù)資料
型號(hào)： HGT1S2N120BNDS
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 12A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode(12A, 1200V, NPT系列N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
中文描述： 2 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
文件頁(yè)數(shù)： 6/7頁(yè)
文件大?。?/td> 87K
代理商： HGT1S2N120BNDS
6
FIGURE 15. CAPACITANCE vs COLLECTOR TO EMITTER
VOLTAGE
FIGURE 16. COLLECTOR TO EMITTER ON-STATE VOLTAGE
FIGURE 17. NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
FIGURE 18. DIODE FORWARD CURRENT vs FORWARD
VOLTAGE DROP
FIGURE 19. RECOVERY TIMES vs FORWARD CURRENT
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
C
0
5
10
15
20
25
0
C
IES
0.2
0.6
0.8
0.4
FREQUENCY = 1MHz
C
OES
C
RES
I
C
,
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
1.0
2.5
0
1.0
0
2.0
0.5
3.0
DUTY CYCLE < 0.5%, T
C
= 110
o
C
PULSE DURATION = 250
μ
s
1.5
3.0
4.0
V
GE
= 10V
V
GE
= 15V
2.0
0.5
1.5
2.5
3.5
t
1
t
2
P
D
SINGLE PULSE
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
10
-2
10
-1
10
0
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
-4
Z
θ
J
,
0.01
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
V
F
, FORWARD VOLTAGE (V)
I
F
,
0.5
1.5
2.0
2.5
150
o
C
-55
o
C
10
1
0.1
1.0
25
o
C
I
F
, FORWARD CURRENT (A)
10
20
70
5
0
30
60
t
3
40
2
t
rr
t
a
50
t
b
1
T
C
= 25
o
C, dI
EC
/ dt = 200A/
μ
s
4
HGTP2N120BND, HGT1S2N120BNDS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGT1S2N120CN 13A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGT1S2N120BNS XC9536-7PC44I - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
HGT1S2N120CNS XC9536-7VQ44C - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
HGTP2N120BN 72 MACROCELL 5 VOLT ISP CPLD - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
HGTP2N120BND 72 MACROCELL 5 VOLT ISP CPLD - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HGT1S2N120BNDS9A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 5.6A I(C) | TO-263AB
HGT1S2N120BNS 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:12A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT
HGT1S2N120BNS9A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 12A I(C) | TO-263AB
HGT1S2N120CN 功能描述:IGBT 晶體管 2.6A 1200V N-Ch RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGT1S2N120CNDS 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:13A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBTs with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*