參數(shù)資料
型號： HGT1S14N36G3VL
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 14A, 360V N-Channel,Logic Level, Voltage Clamping IGBTs(14A, 360V N溝道,邏輯電平,電壓箝位絕緣柵雙極型晶體管.)
中文描述： 18 A, N-CHANNEL IGBT, TO-262AA
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 110K
代理商： HGT1S14N36G3VL
3-57
HGTP14N36G3VL, HGT1S14N36G3VL, HGT1S14N36G3VLS
Typical Performance Curves
FIGURE 1. TRANSFER CHARACTERISTICS
FIGURE 2. SATURATION CHARACTERISTICS
FIGURE 3. COLLECTOR-EMITTER CURRENT AS A FUNCTION
OF SATURATION VOLTAGE
FIGURE 4. COLLECTOR-EMITTER CURRENT AS A FUNCTION
OF SATURATION VOLTAGE
FIGURE 5. SATURATION VOLTAGE AS A FUNCTION OF
JUNCTION TEMPERATURE
FIGURE 6. SATURATION VOLTAGE AS A FUNCTION OF
JUNCTION TEMPERATURE
I
C
,
V
GE
, GATE-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
PULSE DURATION = 250
μ
s, DUTY CYCLE <0.5%, V
CE
= 10V
20
15
10
5
0
25
2
1
3
4
5
+25
o
C
+175
o
C
-40
o
C
I
C
,
40
20
V
CE
, COLLECTOR-TO-EMITTER VOLTAGE (V)
PULSE DURATION = 250
μ
s, DUTY CYCLE <0.5%, T
C
= +25
o
C
0
2
4
6
8
10
10V
5.0V
4.5V
3.0V
2.5V
4.0V
3.5V
10
0
30
4
V
CE(SAT)
, SATURATION VOLTAGE (V)
I
C
,
25
20
15
10
5
0
30
5
3
2
1
0
T
C
= +175
o
C
V
GE
= 5.0V
V
GE
= 4.0V
V
GE
= 4.5V
35
10
+25
o
C
I
C
,
V
CE(SAT)
, SATURATION VOLTAGE (V)
+175
o
C
-40
o
C
15
20
25
30
35
0
5
0
1
2
3
4
5
V
GE
= 4.5V
V
C
,
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
-25
+25
+75
+125
+175
1.25
1.15
1.05
1.35
V
GE
= 4.0V
V
GE
= 4.5V
V
GE
= 5.0V
I
CE
= 7A
T
J
, JUNCTION TEMPERATURE (
o
C)
V
C
,
-25
+25
+75
+125
+175
2.00
1.75
1.50
V
GE
= 4.5V
V
GE
= 4.0V
V
GE
= 5.0V
I
CE
= 14A
2.25
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PDF描述
HGT1S14N36G3VLS 14A, 360V N-Channel,Logic Level, Voltage Clamping IGBTs(14A, 360V N溝道,邏輯電平,電壓箝位絕緣柵雙極型晶體管.)
HGTP14N36G3VL 14A, 360V N-Channel,Logic Level, Voltage Clamping IGBTs(14A, 360V N溝道,邏輯電平,電壓箝位絕緣柵雙極型晶體管.)
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