參數資料
型號： HGT1S12N60A4DS9A
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 54A I(C) | TO-263AB
中文描述： 54 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
文件頁數： 7/8頁
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代理商： HGT1S12N60A4DS9A
2001 Fairchild Semiconductor Corporation
HGTG12N60A4D, HGTP12N60A4D, HGT1S12N60A4DS Rev. B
FIGURE 23. IGBT NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
10
-2
10
-1
10
0
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-4
t
1
t
2
P
D
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
SINGLE PULSE
0.50
0.20
0.05
0.02
0.01
0.10
Test Circuit and Waveforms
FIGURE 24. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
FIGURE 25. SWITCHING TEST WAVEFORMS
R
G
= 10
L = 500
μ
H
V
DD
= 390V
+
-
HGTP12N60A4D
DIODE TA49371
DUT
t
fI
t
d(OFF)I
t
rI
t
d(ON)I
10%
90%
10%
90%
V
CE
I
CE
V
GE
E
OFF
E
ON2
HGTG12N60A4D, HGTP12N60A4D, HGT1S12N60A4DS
相關PDF資料
PDF描述
HGTP12N60A4D Aluminum Electrolytic Radial Leaded General Purpose Capacitor; Capacitance: 47uF; Voltage: 25V; Case Size: 5x11 mm; Packaging: Bulk
HGT1S12N60A4DS 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
HGTG12N60A4 600V, SMPS Series N-Channel IGBTs
HGTG12N60D1 12A, 600V N-Channel IGBT with Anti-Parallel Ultrafast Diode
HGTG12N60D1D 12A, 600V N-Channel IGBT with Anti-Parallel Ultrafast Diode
相關代理商/技術參數
參數描述
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HGT1S12N60A4S9A 功能描述:IGBT 晶體管 600V N-Channel IGBT SMPS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
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