參數(shù)資料
型號(hào)： HBC327
廠商： HSMC CORP.
英文描述： PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
中文描述： 進(jìn)步黨外延平面晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大?。?/td> 37K
代理商： HBC327
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
HBC327
PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Spec. No. : HE6413
Issued Date : 1993.01.15
Revised Date : 2002.02.05
Page No. : 1/4
HBC327
HSMC Product Specification
Description
This HBC327 is designed for driver and output-stages of audio
amplifiers.
Features
High DC Current Gain: 100-600 at IC=100mA,VCE=1V
Complementary to HBC337
Absolute Maximum Ratings
Maximum Temperatures
Storage Temperature............................................................................................ -55 ~ +150
°
C
Junction Temperature.................................................................................... +150
°
C Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Ta=25
°
C)................................................................................ 625 mW
Maximum Voltages and Currents (Ta=25
°
C)
VCBO Collector to Base Voltage........................................................................................ -50 V
VCEO Collector to Emitter Voltage..................................................................................... -45 V
VEBO Emitter to Base Voltage............................................................................................. -5 V
IC Collector Current ...................................................................................................... -500 mA
Characteristics
(Ta=25
°
C)
Symbol
BVCBO
BVCEO
BVEBO
ICBO
IEBO
*hFE1
*hFE2
*VCE(sat)1
VBE(on)
fT
Cob
Min.
-50
-45
-5
-
-
100
40
-
-
-
-
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
4
Max.
-
-
-
-100
-100
600
-
-0.7
-1.2
-
-
Unit
V
V
V
nA
nA
Test Conditions
IC=-100uA, IE=0
IC=-10mA, IB=0
IE=-100uA, IC=0
VCB=-30V, IE=0
VEB=-5V, IC=0
VCE=-1V, IC=-100Ma
VCE=-1V, IC=-300mA
IC=-500mA, IB=-50mA
VCE=-1V, IC=-300mA,
VCE=-5V, IC=-10mA, f=100MHZ
VCB=-10V, f=1MHZ, IC=0
*Pulse Test: Pulse Width
≤
380us, Duty Cycle
≤
2%
V
V
MHZ
PF
Classification of hFE1
Rank
Range
16
25
40
100-250
160-400
250-600
TO-92
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HBC337 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
HBC546 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
HBC547 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
HBC548 NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
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參數(shù)描述
HBC332A705 功能描述:RF 連接器 FEMALE/FEMALE HD ADAPTER RoHS:否 制造商:Bomar Interconnect 產(chǎn)品:Connectors 射頻系列:BNC 型式:Jack (Female) 極性: 觸點(diǎn)電鍍:Gold 阻抗: 端接類型:Solder 主體類型:Straight Bulkhead 電纜類型:
HBC335R744 功能描述:RF 連接器 JACK PANEL ISOL. RoHS:否 制造商:Bomar Interconnect 產(chǎn)品:Connectors 射頻系列:BNC 型式:Jack (Female) 極性: 觸點(diǎn)電鍍:Gold 阻抗: 端接類型:Solder 主體類型:Straight Bulkhead 電纜類型:
HBC337 制造商:HSMC 制造商全稱:HSMC 功能描述:NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
HBC35DRAH 功能描述:CONN EDGECARD 70POS R/A .100 SLD RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:90 位置數(shù):180 卡厚度:0.062"（1.57mm） 行數(shù):2 間距:0.050"（1.27mm） 特點(diǎn):- 安裝類型:通孔 端子:焊接 觸點(diǎn)材料:磷青銅 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:10µin（0.25µm） 觸點(diǎn)類型：:發(fā)夾式波紋管 顏色:黑 包裝:管件 法蘭特點(diǎn):- 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚（PPS） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙
HBC35DRAH-S734 功能描述:CONN EDGECARD 70POS .100 R/A PCB RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:15 位置數(shù):30 卡厚度:0.062"（1.57mm） 行數(shù):2 間距:0.156"（3.96mm） 特點(diǎn):- 安裝類型:通孔 端子:焊接 觸點(diǎn)材料:銅鈹 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:30µin（0.76µm） 觸點(diǎn)類型：:全波紋管 顏色:綠 包裝:托盤 法蘭特點(diǎn):頂部安裝開口，無(wú)螺紋，0.125"（3.18mm）直徑 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚（PPS） 工作溫度:-65°C ~ 150°C 讀數(shù):雙
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