參數(shù)資料
型號: HB56SW3272ESK-6
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: 256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword x 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module(36 pcs of 16M x 4 components)
中文描述: 256MB的內(nèi)存緩沖EDO公司的DRAM 32 Mword × 72位,4K的刷新,2銀模塊(36個在16米x 4部分)
文件頁數(shù): 4/29頁
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代理商: HB56SW3272ESK-6
HB56SW3272ESK-5/6
4
Pin Arrangement
(cont)
Pin No.
Signal name Pin No.
Signal name Pin No.
Signal name Pin No.
Signal name
36
A6
78
V
SS
PD1
120
A7
162
V
SS
PD2
37
A8
79
121
A9
163
38
A10
80
PD3
122
A11
164
PD4
39
NC
81
PD5
123
NC
165
PD6
40
V
CC
NC
82
PD7
124
V
CC
NC
166
PD8
41
83
ID0 (V
SS
)
V
CC
125
167
ID1 (V
SS
)
V
CC
42
NC
84
126
B0
168
Pin Description
Pin name
Function
A0 to A11, B0
Address input
Row address (D0 to D35)
Column address (D0 to D35)
Refresh address (D0 to D35)
A0 to A11, B0
A0 to A11, B0
A0 to A11, B0
DQ0 to DQ71
RE
0 to
RE
3
CE
0,
CE
1,
CE
4,
CE
5
WE
0,
WE
2
OE
0,
OE
2
Data input/output
Row address strobe (
RAS
)
Column address strobe (
CAS
)
Read/Write enable
Output enable
PD1 to PD8
Presence detect
ID0 , ID1
PDE
ID bit
Presence detect enable
V
CC
V
SS
NC
Power supply
Ground
No connection
相關PDF資料
PDF描述
HB56SW3272ESK 256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword x 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module(36 pcs of 16M x 4 components)
HB56UW1673E 128MB Buffered EDO DRAM DIMM(128MB 緩沖 EDO DRAM DIMM)
HB56UW3272ETK 256MB Buffered EDO DRAM DIMM(256MB 緩沖 EDO DRAM DIMM)
HBAT-5400 High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管)
HBAT-540B High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
HB56SW464DB-6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module
HB56SW464DB-6B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module
HB56SW464DB-6BL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module
HB56SW464DB-6BLS 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module
HB56SW464DB-6L 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 EDO Page Mode DRAM Module