參數(shù)資料
型號(hào): HB56SW3272ESK-6
廠商: Hitachi,Ltd.
英文描述: 256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword x 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module(36 pcs of 16M x 4 components)
中文描述: 256MB的內(nèi)存緩沖EDO公司的DRAM 32 Mword × 72位,4K的刷新,2銀模塊(36個(gè)在16米x 4部分)
文件頁(yè)數(shù): 24/29頁(yè)
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代理商: HB56SW3272ESK-6
HB56SW3272ESK-5/6
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EDO Page Mode Read-Modify-Write Cycle
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CAS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HB56SW3272ESK 256MB Buffered EDO DRAM DIMM 32-Mword x 72-bit, 4k Refresh, 2 Bank Module(36 pcs of 16M x 4 components)
HB56UW1673E 128MB Buffered EDO DRAM DIMM(128MB 緩沖 EDO DRAM DIMM)
HB56UW3272ETK 256MB Buffered EDO DRAM DIMM(256MB 緩沖 EDO DRAM DIMM)
HBAT-5400 High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應(yīng)用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管)
HBAT-540B High Performance Schottky Diode for Transient Suppression(應(yīng)用于瞬變抑制的高性能肖特基二極管)
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參數(shù)描述
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