參數(shù)資料
型號(hào)： GS88218BB-250V
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述： 512K X 18 CACHE SRAM, 5.5 ns, PBGA119
封裝： FPBGA-119
文件頁(yè)數(shù)： 9/35頁(yè)
文件大?。?/td> 863K
代理商： GS88218BB-250V
GS88218/36B(B/D)-xxxV
Rev: 1.03 6/2006
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
9/35
2002, GSI Technology
Byte Write Truth Table
Function
GW
BW
B
A
B
B
B
C
B
D
Notes
Read
H
H
X
X
X
X
1
Read
H
L
H
H
H
H
1
Write byte a
H
L
L
H
H
H
2, 3
Write byte b
H
L
H
L
H
H
2, 3
Write byte c
H
L
H
H
L
H
2, 3, 4
Write byte d
H
L
H
H
H
L
2, 3, 4
Write all bytes
H
L
L
L
L
L
2, 3, 4
Write all bytes
Notes:
1.
All byte outputs are active in read cycles regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
2.
Byte Write Enable inputs B
A
, B
B
, B
C
, and/or B
D
may be used in any combination with BW to write single or multiple bytes.
3.
All byte I/Os remain High-Z during all write operations regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
4.
Bytes “
C
” and “
D
” are only available on the x36 version.
L
X
X
X
X
X
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS88218BB-V 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
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參數(shù)描述
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GS88218CB-200IV 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 9MBIT 512KX18 6.5NS/3NS 119FPBGA - Trays
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GS88218CB-250 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 512KX18 5.5NS/2.5NS 119FPBGA - Trays
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