參數(shù)資料
型號： GS881E18T-100
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 512K X 18 CACHE SRAM, 12 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁數(shù)： 5/34頁
文件大小： 487K
代理商： GS881E18T-100
Rev: 1.10 9/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
5/34
2000, Giga Semconductor, Inc.
Preliminary
GS881E18/36T-11/11.5/100/80/66
64
14
31
38
39
42
43
ZZ
FT
LBO
TMS
TDI
TDO
TCK
V
DD
V
SS
V
DDQ
I
I
I
I
I
Sleep mode control; active high
Flow Through or Pipeline mode; active low
Linear Burst Order mode; active low
Scan Test Mode Select
Scan Test Data In
Scan Test Data Out
Scan Test Clock
O
I
15, 41, 65, 91
I
Core power supply
5,10,17, 21, 26, 40, 55, 60, 67, 71, 76, 90
I
I/O and Core Ground
4, 11, 20, 27, 54, 61, 70, 77
I
Output driver power supply
Pin Location
Symbol
Typ
e
Description
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PDF描述
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