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參數(shù)資料
| 型號： | GS881E18T-100 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 12 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 18/34頁 |
| 文件大小： | 487K |
| 代理商： | GS881E18T-100 |
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Rev: 1.10 9/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
18/34
2000, Giga Semconductor, Inc.
Preliminary
GS881E18/36T-11/11.5/100/80/66
Write Cycle Timing
CK
ADSP
ADSC
ADV
GW
BW
WR2
WR3
WR1
WR1
WR2
WR3
tKC
Single Write
Burst Write
t
KL
t
KH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tStH
tS tH
Write specified byte for 2
A
and all bytes for 2
B
, 2
C
& 2
D
ADV must be inactive for ADSP Write
ADSC initiated write
ADSP is blocked by E inactive
A
0
–A
n
B
A
–B
D
DQ
A
–DQ
D
Write
Deselected
E
1
tS tH
E
2
only sampled with ADSP or ADSC
E
1
masks ADSP
Deselected with E
2
G
tS tH
D2
A
D2
B
D2
C
D2
D
D3
A
D1
A
Hi-Z
tS tH
E
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| GS881E18T-11 | 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18T-11.5 | 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18T-11.5I | 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18T-11I | 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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