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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS820H32 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 2Mb（64K x 32Bit) Synchronous Burst SRAM(2M位（64K x 32位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| 中文描述： | 2MB的（64K的x 32位）同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器（200萬(wàn)位（64K的× 32位）同步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/23頁(yè) |
| 文件大小： | 342K |
| 代理商： | GS820H32 |
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Rev: 1.03 2/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
2/23
1999, Giga Semconductor, Inc.
D
GS820H32T/Q-150/138/133/117/100/66
GS820H32 100 Pin TQFP and QFP Pinout
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Top View
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS832018 | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS832018GT-133 | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS832018GT-133I | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS832032GT-133 | 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs |
| GS832032GT-133I | Film Capacitor; Voltage Rating:400VDC; Capacitor Dielectric Material:Polyester; Capacitance:4700pF; Capacitance Tolerance:+/- 10%; Lead Pitch:7.5mm; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes; Series:184 RoHS Compliant: Yes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS820H32A2T-138 | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS820H32AQ-133 | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS820H32AQ-133I | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS820H32AQ-138 | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS820H32AQ-138I | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM |
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