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參數(shù)資料
| 型號： | GS820E32A |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 2Mb（64K x 32Bit) Synchronous Burst SRAM(2M位（64K x 32位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| 中文描述： | 2MB的（64K的x 32位）同步突發(fā)靜態(tài)存儲器（200萬位（64K的× 32位）同步靜態(tài)隨機(jī)存儲器（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）） |
| 文件頁數(shù)： | 17/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 344K |
| 代理商： | GS820E32A |
Rev: 1.04 3/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
17/23
2000, Giga Semconductor, Inc.
E
GS820E32AT/Q-150/138/133/117/100/66
Pipelined DCD Read Cycle Timing
Q1a
Q3
A
Q2
D
Q2
C
Q2
B
Q2
A
tKQ
tLZ
tOE
tOHZ
tOLZ
tKQX
tHZ
tKQX
CK
ADSP
ADSC
BW
G
GW
ADV
E
2
Burst Read
RD2
RD3
tKL
tS
tH
tH
tH
tS
tH
tH
tS
tH
tS
tH
ADSC initiated read
Suspend Burst
E
1
masks ADSP
E
2
and E
3
only sampled with ADSP or ADSC
Deselected with E
2
Single Read
ADSP is blocked by E
1
inactive
A
0
-An
B
A
- B
D
E
3
E
1
tKH
tKC
tS
tH
tS
tS
tH
DQ
A
-DQ
D
tS
tS
RD1
Hi-Z
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS820E32T-6I | 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS820E32Q-100 | 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS820E32Q-117 | 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS820E32Q-133 | 2M Synchronous Burst SRAM |
| GS820E32Q-133I | 2M Synchronous Burst SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS820E32AGT-133 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:64K x 32 2Mb Synchronous Burst SRAM |
| GS820E32AGT-133I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:64K x 32 2Mb Synchronous Burst SRAM |
| GS820E32AGT-166 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:64K x 32 2Mb Synchronous Burst SRAM |
| GS820E32AGT-166I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:64K x 32 2Mb Synchronous Burst SRAM |
| GS820E32AGT-180 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:64K x 32 2Mb Synchronous Burst SRAM |
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