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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS8150E18 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb（1M x 18Bit）Synchronous Burst SRAM(16M位（1M x 18位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| 中文描述： | 16Mb的（100萬x 18位）同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器（1,600位（100萬× 18位）同步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）） |
| 文件頁數(shù)： | 21/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 516K |
| 代理商： | GS8150E18 |
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Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
21/26
2000, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS8150E18/32/36T-225/200/180/166/150/133
Pipelined DCD Read-Write Cycle Timing
CK
ADSP
ADV
GW
BW
E
1
E
3
G
E
2
RD1
RD2
WR1
Q1
A
D1
A
Q2
A
Q2
B
Q2c
Q2
D
Single Read
Burst Read
tOE
tOHZ
tS
tS tH
tS
tS tH
tS
tH
tH
tS tH
tS tH
tStH
tKH
E
1
masks ADSP
E
2
and E
3
only sampled with ADSP and ADSC
Deselected with E
3
DQ
A
–DQ
D
A
0
–An
tKL
tKC
tS
tH
tH
Single Write
ADSP is blocked by E1 inactive
tKQ
tS tH
Hi-Z
B
A
–B
D
ADSC
tS tH
ADSC initiated read
WR1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| GS8150V18AB-250I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36 18Mb Register-Register Late Write SRAM |
| GS8150V18AB-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS8150V18AB-300 - Trays |
| GS8150V18AB-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS8150V18AB-300I - Trays |
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