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參數(shù)資料
| 型號： | GS8150E18 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 16Mb（1M x 18Bit）Synchronous Burst SRAM(16M位（1M x 18位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| 中文描述： | 16Mb的（100萬x 18位）同步突發(fā)靜態(tài)存儲器（1,600位（100萬× 18位）同步靜態(tài)隨機(jī)存儲器（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）） |
| 文件頁數(shù)： | 20/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 516K |
| 代理商： | GS8150E18 |
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Rev: 1.01 11/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
20/26
2000, Giga Semiconductor, Inc.
Preliminary
GS8150E18/32/36T-225/200/180/166/150/133
Pipelined DCD Read Cycle Timing
Q1
A
Q3
A
Q2
D
Q2c
Q2
B
Q2
A
tKQ
tLZ
tOE
tOHZ
tOLZ
tKQX
tHZ
tKQX
CK
ADSP
ADSC
BW
G
GW
ADV
E
2
Burst Read
RD2
RD3
tKL
tS
tH
tH
tH
tS
tH
tH
tS tH
tS
tH
ADSC initiated read
Suspend Burst
E
1
masks ADSP
E
2
and E
3
only sampled with ADSP or ADSC
Deselected with E
2
Single Read
ADSP is blocked by E1 inactive
A
0
–An
B
A
–B
D
E
3
E
1
tKH
tKC
tS
tH
tS
tS
tH
DQ
A
–DQ
D
tS
tS
RD1
Hi-Z
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| GS8150V18AB-250I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:1M x 18, 512K x 36 18Mb Register-Register Late Write SRAM |
| GS8150V18AB-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS8150V18AB-300 - Trays |
| GS8150V18AB-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:GS8150V18AB-300I - Trays |
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