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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS81032A |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 英文描述： | 1Mb（32K x 32Bit）Synchronous Burst SRAM(1M位（32K x 32位）同步靜態(tài)RAM（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）) |
| 中文描述： | 1兆（32KX8的32位）同步突發(fā)靜態(tài)存儲(chǔ)器（100萬(wàn)位（32K的× 32位）同步靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（帶2位脈沖地址計(jì)數(shù)器）） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 14/23頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 756K |
| 代理商： | GS81032A |
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Rev: 1.00 12/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
14/23
2000, Giga Semiconductor, Inc.
GS81032AT/Q-150/138/133/117/100/66
CK
ADSP
ADSC
ADV
GW
BW
G
WR2
WR3
WR1
WR1
WR2
WR3
tKC
Single Write
Burst Write
D2
A
D2
B
D2
C
D2
D
D3
A
D1
A
t
KL
t
KH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
tS tH
Write specified byte for 2
A
and all bytes for 2
B
, 2
C
& 2
D
ADV must be inactive for ADSP Write
ADSC initiated write
ADSP is blocked by E
1
inactive
A
0
–An
B
A
–B
D
DQ
A
–DQ
D
Write
Deselected
Hi-Z
Write Cycle Timing
E
1
E
3
tS tH
tS tH
tS tH
E
2
and E
3
only sampled with ADSP or ADSC
E
1
masks ADSP
E
2
Deselected with E
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| GS81032AQ-133 | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:32K x 32 1M Synchronous Burst SRAM |
| GS81032AQ-133I | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:32K x 32 1M Synchronous Burst SRAM |
| GS81032AQ-138 | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:32K x 32 1M Synchronous Burst SRAM |
| GS81032AQ-138I | 制造商:GSI 制造商全稱(chēng):GSI Technology 功能描述:32K x 32 1M Synchronous Burst SRAM |
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