參數(shù)資料
型號： GP1600FSM12
廠商： DYNEX SEMICONDUCTOR LTD
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Single Switch IGBT Module Advance Information
中文描述： 1600 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大?。?/td> 139K
代理商： GP1600FSM12
GP1600FSM12
Caution: This device is sensitive to electrostatic discharge. Users should follow ESD handling procedures.
www.dynexsemi.com
3/10
C
ies
Input capacitance
Module inductance
V
CE
= 25V, V
GE
= 0V, f = 1MHz
nH
-
-
15
180
-
-
-
nF
L
M
I
F
Diode forward current
I
FM
Diode maximum forward current
DC
t
p
= 1ms
A
1600
3200
-
-
-
-
V
F
Diode forward voltage
I
F
=1600A
2.4
2.2
-
A
V
I
F
=1600A, T
case
= 125C
2.5
2.3
-
V
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Symbol
Collector cut-off current
I
GES
Gate leakage current
Conditions
V
GE
= 0V, V
CE
= V
CES
V
GE
=
±
20V, V
CE
= 0V
mA
2
8
Max.
-
Typ.
-
-
Min.
-
Parameter
T
case
= 25C unless stated otherwise.
V
6.5
3.5
2.7
-
Gate threshold voltage
V
GE
= 15V, I
C
=1600A
-
4.5
I
C
= 120mA, V
GE
= V
CE
Units
I
CES
μ
A
V
GE(TH)
V
4.0
3.2
-
V
GE
= 15V, I
C
= 1600A, T
case
= 125C
V
V
CE(SAT)
Collector-emitter saturation voltage
V
GE
= 0V, V
CE
= V
CES
, T
case
= 125C
mA
75
-
-
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