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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GFD55N03 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 75A I(D) | TO-252AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 75A條（丁）|對(duì)252AA |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 61K |
| 代理商： | GFD55N03 |
GFD55N03
Vishay Semiconductors
www.vishay.com
4
Document Number 74591
8-Jan-02
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0
5
10
15
30
20
25
Fig. 8
–
Capacitance
C
iss
C
rss
C
oss
f = 1MH
Z
V
GS
= 0V
0
2
4
6
8
10
0
10
20
40
30
Fig. 7
–
Gate Charge
50
60
70
V
DS
= 15V
I
D
= 25A
1
10
100
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
T
J
= 125
°
C
Fig. 9
–
Source-Drain Diode
Forward Voltage
25
°
C
--55
°
C
V
GS
= 0V
I
S
V
SD
-- Source-to-Drain Voltage (V)
Q
g
-- Gate Charge (nC)
V
G
C
V
DS
-- Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 10
–
Transient Thermal
Impedance
Fig. 11
–
Power vs. Pulse Duration
0.1
0.01
0.001
0.0001
0
200
400
600
800
1000
1
10
R
θ
J
I
Pulse Duration (sec.)
1. Duty Cycle, D = t
1
/t
2
2. R
θ
JC
(t) = R
θ
JC
(norm) *R
θ
JC
3. R
θ
JC
= 2.0
°
C/W
4. T
J
-- T
C
= P
DM
* R
θ
JC
(t)
Fig. 12
–
Maximum Safe Operating Area
V
DS
-- Drain-Source Voltage (V)
0.1
1
1
10
100
1000
10
100
V
GS
= 10V
Single Pulse
R
θ
JC
= 2.0
°
C/W
T
C
= 25
°
C
I
D
1ms
100
μ
s
10ms
100ms
DC
R
DS(ON)
Limit
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
Single Pulse, 0.02
Single Pulse
R
θ
JC
= 2.0
°
C/W
T
C
= 25
°
C
Ratings and
Characteristic Curves
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
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