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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GFD30N03 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-252AA |
| 中文描述： | 晶體管| MOSFET的| N溝道| 30V的五（巴西）直| 40A條（?。﹟對(duì)252AA |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/5頁(yè) |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | GFD30N03 |
GFD30N03
Vishay Semiconductor
Document Number 74557
10-Dec-01
www.vishay.com
3
0
10
20
30
50
60
70
80
0
1
2
3
4
5
Fig. 1 – Output Characteristics
0
0.005
0.015
0.02
0.03
0.01
0.025
0.035
0
20
30
10
50
40
60
80
70
Fig. 4 – On-Resistance vs.
Drain Current
0
10
20
40
30
50
60
1
2
3
4
5
Fig. 2 – Transfer Characteristics
40
V
GS
= 3.0V
0.8
0.6
1.4
1.6
1.2
1
--
50
--
25
25
50
75
100
125
150
0
Fig. 5 – On-Resistance vs.
Junction Temperature
V
GS
= 10V
I
D
= 20A
V
GS
= 4.5V
25
°
C
V
GS
= 10V
T
J
= 125
°
C
--55
°
C
3.5V
4.0V
6.0V
4.5V
V
DS
= 10V
0.6
1.4
1.2
1.6
1.8
2.0
0.8
1
--
50
--
25
25
50
75
100
125
150
0
Fig. 3 – Threshold Voltage vs.
Temperature
I
D
= 250
μ
A
I
D
V
DS
-- Drain-to-Source Voltage (V)
R
D
)
I
D
-- Drain Current (A)
I
D
V
GS
-- Gate-to-Source Voltage (V)
R
D
(
T
J
-- Junction Temperature (
°
C)
V
G
T
J
-- Junction Temperature (
°
C)
5.0V
V
GS
= 10V
Ratings and
Characteristic Curves
(T
A
= 25
°
C unless otherwise noted)
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PDF描述 |
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