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參數(shù)資料
| 型號： | GE28F128W30B90 |
| 英文描述： | CHIP RESISTOR |
| 中文描述： | 的EEPROM | FLASH動畫| 8M × 16位|的CMOS | BGA封裝| 60PIN |塑料 |
| 文件頁數(shù)： | 13/91頁 |
| 文件大?。?/td> | 994K |
| 代理商： | GE28F128W30B90 |
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1.8 Volt Intel
Wireless Flash Memory with 3 Volt I/O
Datasheet
13
Table 2.
Bottom Parameter Memory Map
Size
(KW)
Blk #
32 Mbit
Blk #
64 Mbit
Blk #
128 Mbit
M
S
P
32
262
7F8000-7FFFFF
.
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32
135
400000-407FFF
E
P
32
134
3F8000-3FFFFF
134
3F8000-3FFFFF
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32
71
200000-207FFF
71
200000-207FFF
F
P
32
70
1F8000-1FFFFF
70
1F8000-1FFFFF
70
1F8000-1FFFFF
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32
39
100000-107FFF
39
100000-107FFF
39
100000-107FFF
O
P
32
38
0F8000-0FFFFF
38
0F8000-0FFFFF
38
0F8000-0FFFFF
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32
31
0C0000-0C7FFF
31
0C0000-0C7FFF
31
0C0000-0C7FFF
O
P
32
30
0B8000-0BFFFF
30
0B8000-0BFFFF
30
0B8000-0BFFFF
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32
23
080000-087FFF
23
080000-087FFF
23
080000-087FFF
O
P
32
22
078000-07FFFF
22
078000-07FFFF
22
078000-07FFFF
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32
15
040000-047FFF
15
040000-047FFF
15
040000-047FFF
P
O
32
14
038000-03FFFF
14
038000-03FFFF
14
038000-03FFFF
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32
8
008000-00FFFF
8
008000-00FFFF
8
008000-00FFFF
4
7
007000-007FFF
7
007000-007FFF
7
007000-007FFF
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4
0
000000-000FFF
0
000000-000FFF
0
000000-000FFF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GE28F128W30T90 | EEPROM|FLASH|8MX16|CMOS|BGA|60PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30B70 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30B85 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30T70 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
| GE28F640W30T85 | EEPROM|FLASH|4MX16|CMOS|BGA|56PIN|PLASTIC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GE28F128W30T90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:EEPROM|FLASH|8MX16|CMOS|BGA|60PIN|PLASTIC |
| GE28F160B3BC70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F160B3BC80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F160B3TC70 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
| GE28F160B3TC80 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Advanced Boot Block Flash Memory |
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