參數(shù)資料
型號： FZ1800R12KL4C
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
中文描述： 2850 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-9
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 100K
代理商： FZ1800R12KL4C
Technische Information / Technical Information
FZ 1800 R 12 KL4C
IGBT-Module
IGBT-Modules
E
I
C
[A]
E
R
G
[
]
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0
300
600
900
1200
1500
1800
2100
2400
2700
3000
3300
3600
Eoff
Eon
Erec
Schaltverluste (typisch) E
on
= f (I
C
) , E
off
= f (I
C
) , E
rec
= f (I
C
)
Switching losses (typical)
R
gon
= R
goff
=0,51
, V
CE
= 600V, T
j
= 125°C
0
200
400
600
800
1000
1200
0
2
4
6
8
10
Eoff
Eon
Erec
Schaltverluste (typisch) E
on
= f (R
G
) , E
off
= f (R
G
) , E
rec
= f (R
G
)
Switching losses (typical)
I
C
= 1800A , V
CE
= 600V , T
j
= 125°C
6(8)
Seriendatenblatt_FZ1800R12KL4C
相關PDF資料
PDF描述
FZ300R12KE3G Technische Information / technical information
FZ400R12KS4 IGBT-Module / IGBT-inverter
FZ400R65KF1 IGBT-Module
FZ600R65KF1 IGBT-Module
FZH211S DRIVER AND LEVEL CONVERTER INCI. AUTOMATIC THRESHOLD CHANGEOVER
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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FZ1800R16KF4_S1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
FZ1800R17HE4_B9 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1700V 1800A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ1800R17HP4_B29 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1700V 1800A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ1800R17HP4_B9 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1700V 1800A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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