參數(shù)資料
型號： FZ1800R12KL4C
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
中文描述： 2850 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-9
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 100K
代理商： FZ1800R12KL4C
Technische Information / Technical Information
FZ 1800 R 12 KL4C
IGBT-Module
IGBT-Modules
I
C
V
GE
[V]
I
F
V
F
[V]
0
600
1200
1800
2400
3000
3600
5
6
7
8
9
10
11
12
Tj = 25°C
Tj = 125°C
übertragungscharakteristik (typisch) I
C
= f (V
GE
)
Transfer characteristic (typical)
V
CE
= 20V
0
600
1200
1800
2400
3000
3600
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
Tj = 25°C
Tj = 125°C
Durchlakennlinie der Inversdiode (typisch) I
F
= f (V
F
)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
5(8)
Seriendatenblatt_FZ1800R12KL4C
相關PDF資料
PDF描述
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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FZ1800R16KF4_S1 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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FZ1800R17HP4_B29 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1700V 1800A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ1800R17HP4_B9 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1700V 1800A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
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