參數(shù)資料
型號(hào): FZ1800R12KL4C
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
中文描述: 2850 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-9
文件頁數(shù): 3/8頁
文件大?。?/td> 100K
代理商: FZ1800R12KL4C
Technische Information / Technical Information
FZ 1800 R 12 KL4C
IGBT-Module
IGBT-Modules
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Transistor / transistor, DC
R
thJC
-
-
0,0110
K/W
Diode/Diode, DC
-
-
0,0240
K/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
λ
Paste
=
1 W/m * K /
λ
grease
= 1 W/m * K
R
thCK
-
0,006
-
K/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj
-
-
150
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
T
op
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Al
2
O
3
Kriechstrecke
creepage distance
32
mm
Luftstrecke
clearance
20
mm
CTI
comperative tracking index
>
400
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
M1
4,25
5
5,75
Nm
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
terminals M4
M2
1,7
2
2,3
Nm
terminals M8
8
10
Nm
Gewicht
weight
G
2250
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
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Seriendatenblatt_FZ1800R12KL4C
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FZ1800R17HP4_B29 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1700V 1800A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FZ1800R17HP4_B9 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 1700V 1800A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: