參數(shù)資料
型號(hào): FP75R12KE3
廠商: INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類: IGBT 晶體管
英文描述: Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
中文描述: 105 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝: MODULE-35
文件頁數(shù): 5/11頁
文件大?。?/td> 162K
代理商: FP75R12KE3
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP75R12KE3
Vorlufige Daten
Preliminary data
I
C
V
CE
[V]
I
C
V
CE
[V]
Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) I
C
= f (V
CE
)
Output characteristic Inverter (typical)
V
GE
= 15 V
0
20
40
60
80
100
120
140
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
4,5
5
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
0
20
40
60
80
100
120
140
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
4,5
5
Vge=19V
Vge=17V
Vge=15V
Vge=13V
Vge=11V
Vge=9V
Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) I
C
= f (V
CE
)
Output characteristic Inverter (typical)
T
vj
= 125°C
5(11)
DB-PIM-IGBT3_1.xls
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PDF描述
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參數(shù)描述
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FP75R12KT3 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 105A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝:
FP75R12KT3_05 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:EconoPIM3 module with fast trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode
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