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參數(shù)資料
| 型號： | FP75R12KE3 |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 元件分類： | IGBT 晶體管 |
| 英文描述： | Elektrische Eigenschaften / Electrical properties |
| 中文描述： | 105 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | MODULE-35 |
| 文件頁數(shù)： | 11/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 162K |
| 代理商： | FP75R12KE3 |
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP75R12KE3
Vorlufige Daten
Preliminary data
Schaltplan/ Circuit diagram
Gehuseabmessungen/ Package outlines
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine
Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
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NTC
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DB-PIM-IGBT3_1.xls
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FPAL10SH60 | 16 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
| FPAL15SH60 | Smart Power Module (SPM) |
| FPAL15SM60 | Smart Power Module (SPM) |
| FPAL15SL60 | Smart Power Module (SPM) |
| FPAL20SL60 | Smart Power Module (SPM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FP75R12KE3V1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:IGBT Module |
| FP75R12KT3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 105A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FP75R12KT3_05 | 制造商:EUPEC 制造商全稱:EUPEC 功能描述:EconoPIM3 module with fast trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode |
| FP75R12KT4 | 功能描述:分立半導(dǎo)體模塊 1.85V IGBT 4 PIM RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:Thyristor Power Modules 類型:Phase Controls 安裝風(fēng)格:Screw 封裝 / 箱體:DT61 封裝: |
| FP75R12KT4_B11 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 75A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
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