參數(shù)資料
型號： FP50R12KE3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
元件分類： IGBT 晶體管
英文描述： Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
中文描述： 75 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT
封裝： MODULE-35
文件頁數(shù)： 1/11頁
文件大小： 162K
代理商： FP50R12KE3
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP75R12KE3
Vorlufige Daten
Preliminary data
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
V
RRM
1600
V
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
maximum RMS current at Rectifier output
I
RMSmax
t.b.d.
A
Dauergleichstrom
DC forward current
Stostrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I
2
t - value
T
C
= 80°C
I
d
75
A
t
P
= 10 ms, T
vj
= 25°C
t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
t
P
= 10 ms, T
vj
= 25°C
t
P
= 10 ms, T
vj
= 150°C
I
FSM
500
400
1250
800
A
A
I
2
t
A
2
s
A
2
s
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
V
CES
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Tc = 80 °C
T
C
= 25 °C
I
C,nom.
I
C
75
105
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t
P
= 1 ms, T
C
=
80 °C
I
CRM
150
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
T
C
= 25°C
P
tot
350
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V
GES
+/- 20V
V
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Tc = 80 °C
I
F
75
A
Periodischer Spitzenstrom t
repetitive peak forw. current
P
= 1 ms
I
FRM
150
A
Grenzlastintegral
I
2
t - value
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
vj
= 125°C
I
2
t
1.190
A
2
s
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
V
CES
1200
V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
T
C
= 80 °C
T
C
= 25 °C
I
C,nom.
I
C
40
55
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
t
P
= 1 ms, T
C
= 80°C
I
CRM
80
A
T
C
= 25°C
P
tot
200
W
V
GES
+/- 20V
V
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
Tc = 80 °C
I
F
25
A
Periodischer Spitzenstrom t
repetitive peak forw. current
P
= 1 ms
I
FRM
50
A
prepared by: Andreas Schulz
date of publication:06.03.2001
approved by: Hornkamp
revision: 1
1(11)
DB-PIM-IGBT3_1.xls
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FP75R12KE3 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
FPAL10SH60 16 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor
FPAL15SH60 Smart Power Module (SPM)
FPAL15SM60 Smart Power Module (SPM)
FPAL15SL60 Smart Power Module (SPM)
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參數(shù)描述
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