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參數(shù)資料
| 型號： | FP10R06KL4B3V6 |
| 英文描述： | IGBT Module |
| 中文描述： | IGBT模塊 |
| 文件頁數(shù)： | 4/11頁 |
| 文件大?。?/td> | 191K |
| 代理商： | FP10R06KL4B3V6 |
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP10R06KL4B3
Vorlufig
Preliminary
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to heatsink
Gleichr. Diode/ Rectif. Diode
Paste
=1W/m*K
R
thJH
-
2,6
-
K/W
Trans. Wechsr./ Trans. Inverter
grease
=1W/m*K
-
2,8
-
K/W
Diode Wechsr./ Diode Inverter
-
4,3
-
K/W
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Gleichr. Diode/ Rectif. Diode
R
thJC
-
-
2,4
K/W
Trans. Wechsr./ Trans. Inverter
-
-
2,2
K/W
Diode Wechsr./ Diode Inverter
-
-
3,1
K/W
übergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Gleichr. Diode/ Rectif. Diode
Paste
=1W/m*K
R
thCH
-
0,4
-
K/W
Trans. Wechsr./ Trans. Inverter
grease
=1W/m*K
-
0,8
-
K/W
Diode Wechsr./ Diode Inverter
-
1,5
-
K/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj
-
-
150
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
T
op
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40
-
125
°C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Innere Isolation
internal insulation
Al
2
O
3
CTI
comperative tracking index
225
Anprekraft f. mech. Befestigung pro Feder
mounting force per clamp
Gewicht
weight
Kontakt - Kühlkrper
terminal to heatsink
G
36
g
Kriechstrecke
creeping distance
13,5
mm
Luftstrecke
clearance
12
mm
Kriechstrecke
creeping distance
7,5
mm
Luftstrecke
clearance
7,5
mm
F
N
Terminal - Terminal
terminal to terminal
40...80
4(11)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FP10W90HVX2 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247 |
| FP1189-G | 1/2 - Watt HFET |
| FP1189-PCB1900S | 1/2 - Watt HFET |
| FP1189-PCB2140S | 1/2 - Watt HFET |
| FP1189-PCB900S | 1/2 - Watt HFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FP10R06W1E3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FP10R06W1E3_B11 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Module 10A 600V |
| FP10R06YE3 | 功能描述:IGBT 模塊 N-CH 600V 16A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FP10R06YE3_B4 | 功能描述:IGBT 模塊 IGBT 600V 10A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 產(chǎn)品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:600 V 集電極—射極飽和電壓:1.95 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:230 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:34MM 封裝: |
| FP10R12KE3 | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SP000100274_IGBT MODULE_TRAYS_RO |
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