參數(shù)資料
型號： FP10R06KL4B3V6
英文描述： IGBT Module
中文描述： IGBT模塊
文件頁數(shù)： 3/11頁
文件大?。?/td> 191K
代理商： FP10R06KL4B3V6
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
FP10R06KL4B3
Vorlufig
Preliminary
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
min.
typ.
max.
Modulinduktivitt
stray inductance module
L
CE
-
-
40
nH
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip
lead resistance, terminals-chip
T
C
= 25°C
R
CC'+EE'
-
14
-
m
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Durchlaspannung
forward voltage
min.
typ.
max.
V
GE
= 0V, T
vj
= 25°C, I
F
=
V
GE
= 0V, T
vj
= 125°C, I
F
=
I
F
=I
Nenn
, - di
F
/dt =
V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C, V
R
=
V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C, V
R
=
I
F
=I
Nenn
, - di
F
/dt =
V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C, V
R
=
V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C, V
R
=
I
F
=I
Nenn
, - di
F
/dt =
V
GE
= -10V, T
vj
= 25°C, V
R
=
V
GE
= -10V, T
vj
= 125°C, V
R
=
10 A
10 A
600 A/us
300 V
300 V
600 A/us
300 V
300 V
600 A/us
300 V
300 V
V
F
-
-
1,85
1,9
2,25
-
V
V
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
I
RM
-
-
11
12
-
-
A
A
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
Q
r
-
-
0,35
0,71
-
-
μAs
μAs
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
E
rec
-
-
0,05
0,12
-
-
mWs
mWs
NTC-Widerstand/ NTC-Thermistor
Nennwiderstand
rated resistance
min.
typ.
max.
T
C
= 25°C
R
25
-
5
-
k
Abweichung von R
100
deviation of R
100
T
C
= 100°C, R
100
= 493
R/R
-5
5
%
power dissipation
B-value
T
C
= 25°C
R
2
= R
1
exp [B(1/T
2
- 1/T
1
)]
P
25
B
25/50
20
mW
K
3375
3(11)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
FP10W90HVX2 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 10A I(D) | TO-247
FP1189-G 1/2 - Watt HFET
FP1189-PCB1900S 1/2 - Watt HFET
FP1189-PCB2140S 1/2 - Watt HFET
FP1189-PCB900S 1/2 - Watt HFET
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參數(shù)描述
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FP10R12KE3 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:SP000100274_IGBT MODULE_TRAYS_RO
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